SiP Turnkey业务内容
主要应用领域
工控电子
消费类电子
汽车电子
医疗电子
通信及服务器
SiP工艺路线
SiP设计加工能力
晶圆减薄、划片能力:
6吋、8吋、12吋晶圆减薄能力,最小芯片厚度50um
最小划片道宽度60um
芯片贴装、打线能力:
多芯片堆叠:WB堆4层以上、FC+WB堆叠
高密度、低弧高(35um)、窄间距(50um)打线
倒装贴片能力: 90um节距Cu Pillar,150um节距Solder Bump
Molding:Strip产品,0.4/0.45/0.54/0.6/0.68/0.7/0.8/0.9/1.0/1.5/2.5/4.0mm厚模腔
细间距植球技术:BGA植球,球径250um,球间距400um
50um Thin Die Stack
40um Loop Height W8
80um Pitch BOT FC
58um Pitch Forward Loop
Wb Die Stack
400um Pitch BGA
SiP设计种类
Wire Bonding & Die Stack
Flip Chip
Embedded
Package on Package
Multi-chip Module
Package in Package
SiP案例
功率驱动模组
模组系统架构
原板卡尺寸:40mm*40mm
BOM:逻辑门电路+4*IRS2110+阻容器件
封装形式:LGA
模组尺寸:15×15×1.8mm(面积仅为原来的15%)
温度范围:-45-125℃
核心控制模组
模组系统架构
原板卡尺寸:40mm*40mm
BOM:FPGA+ADC+EEPROM+SPI FLASH+3*LDO
封装形式:BGA
模组尺寸:19×19x3.6mm(面积仅为原来的23%)
温度范围:-45-125℃
控制模组
模组系统架构
BOM:FPGA+DSP+FLASH+SDRAM+EEPROM+SPIFLASH
封装形式:BGA
模组尺寸:30×30x20mm(面积仅为原PCB方案的18%)
温度范围:-45-125℃
SiP案例-陶瓷模组
陶瓷基板设计
陶瓷基板封装